18分钟前芯联集成控股公司芯联动力推出3300V SiC MOSFET近日，芯联集成（688469.SH）依托自研8英寸碳化硅工艺平台正式推出3300V SiC MOSFET器件，面向固态变压器（SST）等高压、高功率密度、高可靠性场景，目前已向核心客户送样验证，被视为公司在高压大功率碳化硅赛道的重要里程碑，将助力固态变压器“减负降本”，强化国产高压SiC器件的竞争力。7 来源芯联集成发布3300V SiC MOSFET：锁定固态变压器高压应用6 来源技术特点：8英寸SiC平台加持，兼顾高压承受与低损耗7 来源面向固态变压器，“减负降本”指向何处？5 来源国产高压SiC竞争加速，芯联集成巩固本土“高端供给”角色5 来源本内容由AI生成